(杂质大电荷密度就大)PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿,一般两种击穿同时存在,但在电压低于5-6V时的击穿以齐纳击穿为主,而电压高于5-6V时的击穿以雪崩击穿为主,2、从齐纳击穿角度看:温度升高,禁带宽度减小,从而隧穿几率增加,击穿电压减小(齐纳击穿主要靠隧穿机制实现,更容易隧穿了,那么所需的电压就不用那么大了)问:齐纳击穿和雪崩击穿的区别,为什么。{0}1、什么是齐纳击穿在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空...
更新时间:2022-12-29标签: 齐纳击穿为什么负温度系数击穿齐纳nn反向系数 全文阅读