（杂质大电荷密度就大）PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主,2、从齐纳击穿角度看：温度升高，禁带宽度减小，从而隧穿几率增加，击穿电压减小（齐纳击穿主要靠隧穿机制实现，更容易隧穿了，那么所需的电压就不用那么大了）问:齐纳击穿和雪崩击穿的区别,为什么。
在高掺杂的情况下，因耗尽层宽度很小，不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚，产生电子—空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。也称为隧道击穿。齐纳击穿是暂时性的，可以恢复。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。隧道击穿是在强电场作用下，由隧道效应，使大量电子从价带穿过禁带而进入到导带所引起的一种击穿现象。因为最初是由齐纳提出来解释电介质击穿现象的，故叫齐纳击穿
PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。电压在5－6V之间的稳压管，两种击穿程度相近，温度系数最好，这就是为什么许多电路使用5－6V稳压管的原因
1、从雪崩击穿角度看：温度升高，迁移率下降，击穿电压增大（需要更大的电压使其产生倍增效应）。2、从齐纳击穿角度看：温度升高，禁带宽度减小，从而隧穿几率增加，击穿电压减小（齐纳击穿主要靠隧穿机制实现，更容易隧穿了，那么所需的电压就不用那么大了）
4、二极管雪崩击穿与齐纳击穿,哪个电压大?雪崩击穿大！雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！！的PN结才做得到。（杂质大电荷密度就大）PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正
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