GTR饱和电压降低,载流密度高,但驱动电流大;MOSFET的驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小,它具有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点,IGBT是一种绝缘栅双极晶体管,是由BJT和MOS构成的全控压驱动功率半导体器件,测量前,将三个管脚短接(放电),用红笔接C极,黑笔接E极,测量指针表1档Gc和ge的电阻值到无穷大。{0}1、什么是igbtIGBT是一种绝缘栅双极晶体管,是由BJT和MOS构成的全控压驱动功率半导体器件。它具有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的...
更新时间:2023-03-05标签: 什么叫igbt驱动igbtgtr阻抗电流 全文阅读