也就是说，能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通,只有一种Vod大于零，说明晶体管沟道半开（在DS任意一端没打开有夹断），也就是处于饱和区MOS驱动为什么用两个三极管,同等功率情况下，mos开关速度快，发热小，更节能,求解释一些MOS管驱动电压,过驱动电压Vod=Vgs-Vth。
有时候一个三极管也行，这个要具体分析了。一般认为MOS管的栅极输入电阻极大，没记错的话有10的9次方以上，既然这样就可以认为栅极就是开路的，那么对栅极施加控制电压时，应该几乎没有电流才对，但实际上栅极对漏极、源极呈现出一个较大的分布电容，此时如果栅极信号是脉冲，脉冲信号跳变的时候栅极的这个电容就会充电或者放电，从而产生电流。当脉冲频率非常高时，这个电容所造成的影响会非常突出，开关电源中为了确保MOS几乎不在线性区域内停留，需要尽最大的可能去加快栅极的跳变沿，这就使得驱动电路必须以非常大的电流去给栅极电容充电和放电，才能确保栅极电压以极快的速度跳变，由此所产生的栅极电流峰值甚至可以超过10A，这种情况下当然首选驱动能力强的乙类放大电路（MOS这里叫做图腾柱电路）来提供栅极信号
同等功率情况下，mos开关速度快，发热小，更节能。mos是电压型器件，栅极输入阻抗高，对电压非常敏感，只需uA级或mA级电流即可启动。而三极管的驱动电流较大，导通时间相对长，开关损耗就大。同时，mos的Rds小，压降小，自身的耗散功率就小。使用mos时，整个电路都工作在开关状态，全电路功耗都很小，设计精良的电路，转换效率可达90%甚至95%，节能效果非常显著
3、求解释一些MOS管驱动电压过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可以理解为：超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小，1）只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会工作。也就是说，能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通，2）沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。也就是说，能够使用过驱动电压来计算饱和区的电流，3）如果能够更加深入理解的话，可以领悟到过驱动电压不单单适用于指代Vgs，也适用于指代Vgd。即Vod1=Vgs-Vth；Vod2=Vds-Vth；如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区，只有一种Vod大于零，说明晶体管沟道半开（在DS任意一端没打开有夹断），也就是处于饱和。
