进一步的栅极-源极电压增加将吸引更多的电子朝向能够形成从源极到漏极的导电沟道的栅极；这个过程被称为倒置临界截止电压与照度有什么关系,关系：光电效应是电子受到能量的激发而脱离原子核束缚逸出,临界截止电压与照度有什么关系,关系：光电效应是电子受到能量的激发而脱离原子核束缚逸出。
关系：光电效应是电子受到能量的激发而脱离原子核束缚逸出。从原子核束缚的状态下到脱离原子核跑到自由空间所需要的功是逸出功。电子所能吸收的能量是E=hυ,其中υ是辐射波的频率。E大于逸出功就可以使电子摆脱原子核的束缚而逃离，公式中h是一个常量，υ越大电子能量越大，达到逸出功就出去了，能让电子获得足够的能量的频率一般在光频的波段，这就是光频率与光电效应的关系。基本原则在n沟道增强型器件中，导电沟道在晶体管内不是自然存在的，并且需要正的栅极到源极电压来产生这种电压。正电压吸引体内的自由浮动电子朝向栅极，形成导电沟道。首先必须在栅极附近吸引足够的电子以对抗添加到FET体中的掺杂离子；这形成没有被称为耗尽区的移动载体的区域，并且发生这种情况的电压是FET的阈值电压。进一步的栅极-源极电压增加将吸引更多的电子朝向能够形成从源极到漏极的导电沟道的栅极；这个过程被称为倒置
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