由于信号幅度很小，这时放大电路的非线性可以不计，可以用解析法计算电路CMOS集成电路中,小信号大信号指的是什么情况,电路处理的一般都是电压信号，比如说放大电路，就是把小的电压信号转变为大的电压信号，小信号一般是指电压变化以及电压变化率很低的信号，大信号相反,放大电路是用来分析小信号的，而不是大信号,A正弦小信号B低频...,在低频小信号的情况下，可以用h参数小信号模型分析放大电路,什么情况下,可以用h参数小信号模型分析放大电路。
在小信号电路模型（如混合π模型）中，厄利效应可以被定义为满足如下关系的电阻：可看出上式与晶体管的集电极－发射极PN结有关，因此这一电阻定义可解释简单电流镜或有源负载共射极放大器的有限输出电阻。若与SPICE中保持一致，使用VCB来表示电阻，则上式变为：对于MOSFET，输出电阻在Shichman-Hodges模型（在非常陈旧的技术中是精确模型）中被定义为：其中VDS=漏源极电压，ID=漏极电流，λ=沟道长度调制系数，通常与沟道长度L成反比。由于MOSFET也有类似的双极性，MOSFET中也会使用“厄利效应”这一术语来描述类似的现象
电路处理的一般都是电压信号，比如说放大电路，就是把小的电压信号转变为大的电压信号，小信号一般是指电压变化以及电压变化率很低的信号，大信号相反。如：MOS管的关系式Id=Vgs*gm,gm在一定范围内（即输出信号偏离静态工作点的范围）是一个常数，当输入信号的值更多的偏离静态工作点时，gm的值会改变，这个使gm的值足以改变的信号就是大信号。小信号分析就是在不改变电路的静态工作点或直流偏置的情况下分析，而大信号的分析也同样可以通过导数的方法来达到对小信号的分析
在低频小信号的情况下，可以用h参数小信号模型分析放大电路。放大电路是用来分析小信号的，而不是大信号。一个主要的原因是：在小信号的前提下，和三极管有关的输入特性输出特性曲线都方便做做线性处理。三极管是非线性元件如果量化起来是不方便的。高频是用的混合π型的模型。因为是“高频”小信号所以要考虑极间电容的影响咧。h参数是用来分析低频小信号的。低频小信号：是指以微伏及毫伏计的电压。在电压放大级，输入信号幅度都很小，不能使用图解法来计算电路。由于信号幅度很小，这时放大电路的非线性可以不计，可以用解析法计算电路
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