InternationalRectifier公司的IR2233是专为高压、高速功率MOSFET和IGBT门极驱动而设计的功率驱动器件.该驱动芯片内部集成了三个独立的相对高边和低边输出通道可分别用于三相应用,正常工作时，芯片输出门极驱动电压为12～20V，输出电流可达420mA，典型开通关断时间为700ns，最小死区时间为200ns，适用于5HP以下的三相电机驱动ir21814s是什么芯片,ir21814s是逆变器芯片,IR2233J是什么芯片。
ir21814s是逆变器芯片。一般的逆变器、开关电源、电机驱动等应用中都需要2个以上mosfet或者IGBT构成桥式连接，其中靠近电源端的（比如图中红色部分）通常被称为高压侧或上臂、靠近地端的通常被称为低压侧或下臂，高低只是针对两者所处位置不同，电压值不一样来区分的。没用过该款和类似的h桥驱动芯片，因为个人觉得没必要。实际制作产品都是拿MOS管和三极管搭建，设计好死区时间，防止上下臂同时导通即可。掺加杂质：具体工艺是是从硅片上暴露的区域开始，放入化学离子混合液中。这一工艺将改变搀杂区的导电方式，使每个晶体管可以通、断、或携带数据。简单的芯片可以只用一层，但复杂的芯片通常有很多层，这时候将该流程不断的重复。不同层可通过开启窗口联接起来。这一点类似多层PCB板的制作原理。更为复杂的芯片可能需要多个二氧化硅层，这时候通过重复光刻以及上面流程来实现，形成一个立体的结构
2、IR2233J是什么芯片?InternationalRectifier公司的IR2233是专为高压、高速功率MOSFET和IGBT门极驱动而设计的功率驱动器件.该驱动芯片内部集成了三个独立的相对高边和低边输出通道可分别用于三相应用。其逻辑输入与5VCMOS或LSTTL输出电平兼容，一个独立的运算放大器通过外部检测电阻可提供一个桥电流模拟反馈。电流释放功能可通过该电阻终止传送的6个输出，关闭功能可用于终止全部6个输出，IR2233提供了一个开漏故障输出可用于指示过流或欠压关闭功能，输出驱动器是一个高脉冲电流缓冲级，可用于最小驱动器的交叉导通，传输延迟匹配适合于高频应用。在高边结构中，可用浮动通道驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压达1200V，正常工作时，芯片输出门极驱动电压为12～20V，输出电流可达420mA，典型开通关断时间为700ns，最小死区时间为200ns，适用于5HP以下的三相电机驱。
