3.替代电阻应遵循“高不低，大不小”的原则，即用优质电阻替代原来的低质电阻，用大功率电阻替代小功率电阻,2.当用小功率电阻代替大功率电阻时，可以采用串联或并联的方法,0.6nfpatch代换有三个步骤,使用MTP60N06HD，MTM60N06，2SK2586FET代换。
0.6 nf patch代换有三个步骤。1.用阻值较小的电阻串联代替阻值较大的电阻，或者用阻值较大的电阻并联代替阻值较小的电阻。2.当用小功率电阻代替大功率电阻时，可以采用串联或并联的方法。当串联和并联的小功率电阻阻值不相等时，应计算它们所分担的功率，使总功率大于原电阻的额定功率。3.替代电阻应遵循“高不低，大不小”的原则，即用优质电阻替代原来的低质电阻，用大功率电阻替代小功率电阻。
使用MTP60N06HD，MTM60N06，2SK2586 FET 代换。场效应晶体管(简称场效应晶体管)是场效应晶体管的简称。主要有两种类型(结型场效应晶体管——JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS-FET)。多数载流子传导也称为单极晶体管。属于压控半导体器件。具有高输入电阻(107 ~ 1015ω)、低噪声、低功耗、大动态范围、易集成、无二次击穿现象、安全工作区宽等优点，成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。
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