在基极加一很小的电流，在集电极就能输出很大的电流三极管截止时和饱和时,发射结和集电结是什么状态,,我们说晶体管在发射结正偏，集电结反偏时才有放大作用，以NPN为例，此时，发射结电子被正偏电压拉到基极，然后其中小部分与基极空穴复合（因此基极电流比较小），而大部分被集电结的反偏电压扫入集电结（因此集电结电流比较大）。
我们说晶体管在发射结正偏，集电结反偏时才有放大作用，以NPN为例，此时，发射结电子被正偏电压拉到基极，然后其中小部分与基极空穴复合（因此基极电流比较小），而大部分被集电结的反偏电压扫入集电结（因此集电结电流比较大）。因此，发射极电流和集电极电流都远远大于基极电流，起到了放大的作用。而如你所说，如果集电结和发射结都正偏的话，则发射极和集电极的电子都会被扫入基区，与基区空穴复合，此时基极电流就由发射极和集电极电流一直构成，是比较大的，因此晶体管进入饱和状态，无法起到电流放大的作用。晶体管放大的实质是放大基极电流，然后通过发射极或集电极的电阻转换为电压起到放大的作用
不论发射结还是集电结，正偏时它两端的电压都是0.65V，当然随着电流增大也会增大些。对于硅管来说这是个临界值，低于此值PN结不导通（锗管是0.25V）。反偏时理论上讲近似于断路，特别是硅管，反偏的漏电流是微安级别的。三极管表面上能看做两个二极管，也可以拿集电结当作二极管用（发射结不可以），但实际中毫无疑问两个二极管不可能组成一个三极管
1、来源不同发射极、基极、集电极分别由三极管中发射区、基区、集电区导线牵出去的。发射区和集电区均为N型半导体，发射区比集电区掺入的杂质多。在几何尺寸上，集电区的面积要远比发射区的大，而基区在发射区和集电区之间。2、作用不同发射极就是发射电子，基极就是控制电子（使流向集电极的电流受基极输入信号的控制），集电极就是收集电子。3、电流不同基极电流最小，发射极电流最大。半导体三极管在工作时发射极电流等于基极和集电极电流之和。在基极加一很小的电流，在集电极就能输出很大的电流
{3。
