当然，如果能用的话，MOS管是是很爽的，尤其是大功率大电流输出,MOSFET是一种电压控制元件，类似于电子管的三极管，但其结构和工作原理与电子管是完全不同,当然更本质的原因是小功率的MOS比较少见，而且MOS管特别怕静电,简单来说:MOS管是电压控制器件，三极管是电流控制器件。
有一定的相似性，但又有所不同。简单来说:MOS 管是电压控制器件，三极管是电流控制器件。说复杂点，两者都有点类似受控电流源，MOS 管是栅源压控电流源和三极管管是基极电流控电流源。二楼的说法不正确。我能理解和使用三极管，只是因为三极管相对容易学习和使用。它们被用在学校里，教得更多。MOS是抽象的，因为MOS在大部分学校的教学比较粗糙，很少有人教，在学校里基本不用，所以我当然看不懂。当然更本质的原因是小功率的MOS比较少见，而且MOS管特别怕静电。一不小心就容易坏，比三极管还难用。当然，如果能用的话，MOS 管是是很爽的，尤其是大功率大电流输出。
MOS FET是一种电压控制元件，类似于电子管的三极管，但其结构和工作原理与电子管是完全不同。通常用于放大电路或开关电路。在主板上的电源稳压电路中，MOS主要用于判断电位，在主板上往往用“Q”加数字来表示。场效应晶体管的结构是在一个N型半导体的两侧扩散高浓度的P型杂质，用P在漏极和源极之间加直流电压，使N区的许多电子导电。从源极S开始，流到漏极d。
IGBT是一个P结的NPN line MOSFET，也就是NPNP结构。原则上是P型BJT；由MOS驱动。因为这个额外的P层中有载流子，具有电导调制效应，可以使IGBT在高电压大电流下有极低的压降，所以IGBT可以达到很高的电压(目前最高电压为6500V)。但是，由于载流子的存在，当IGBT关断时，电流会拖尾，关断速度会降低。MOS是MOSFET的缩写；IGBT和MOS为全控器件，为电压型驱动，即通过控制栅极电压器件，实现导通或关断；晶闸管采用半控器件和电流方式驱动，即向电网施加一定的电流就可以使晶闸管开通，但一旦开通就不受电网控制，因此电网的电压电流信号被切除而保持开通，只有通过减小流过晶闸管的电流或在晶闸管AK两端加背压才能关断；IGBT和MOS的频率可达几十或几百KHz，但晶闸管一般在1KHz以内。
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