变压器输出的电是交流电,那交...,加电容是为了使三极管状态转换更迅速，以减小开关损耗智能车电机驱动电路设计——使用IR2103半桥驱动芯片时出现的问题_百度...,你再仔细查一下资料，我查的结果是最高允许25V，我想你可能是看错资料了,如果是MOS管的话，驱动电压太高容易击穿功率管半桥电路的奇怪问题,谢谢您的回答,IR2110使用MOS管驱动半桥式驱动。
谢谢您的回答。根据您的回答，您认为c点的波形受到了电容C25放电的影响。按您这么说，在上下管都关断的时候C点的电压是不会超过15V的。于是我将上管D极的电压提高到50V再测试：可见，C点的电压远远超出15V，所以在死区内C点的电压应该不是C25放电造成的
你再仔细查一下资料，我查的结果是最高允许25V，我想你可能是看错资料了。你可以想想啊，你芯片如果是5V供电，那你芯片驱动管子的话，最高的驱动电压也就是5V呗？这样显然不能可靠的打开功率管。建议你也使用12V-15V这样可以，电压太低增加功率管的开关功耗。这个电压主要取决于开关管的触发电压范围。如果是MOS管的话，驱动电压太高容易击穿功率管
加电容是为了使三极管状态转换更迅速，以减小开关损耗
4、IR2110使用MOS管驱动半桥式驱动?跪求!Hin与Lin是互为反相的逻辑信号，最高电平=逻辑电路的电源值VDD（9脚）；当Hin为高电平时输出端Ho也为高电平，反之，Ho为低电平；可以连接到单片机上，Hin与Lin要同时连接，记住他们是互为反相的逻辑信号。com接地，高端输出搭配了自举电路，可以驱动高端MOS。需带一定负载才能给自举电容充电。记得设置死区。IR2110采用HVIC和闩锁抗干扰CMOS制造工艺，DIP14脚封装。具有独立的低端和高端输入通道；悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V，dv/dt=±50V/ns，15V下静态功耗仅116mW；输出的电源端（脚3,即功率器件的栅极驱动电压）电压范围10～20V；逻辑电源电压范围（脚9）5～15V，可方便地与TTL，CMOS电平相匹配，而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5V的偏移量；工作频率高，可达500kHz；开通、关断延迟小，分别为120ns和94ns
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