mos管是金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体,MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区,跨导（Transconductance）是电子元件的一项属性,这样的器件被认为是对称的mos管通俗易懂的工作原理是什么,什么是MOS管的跨导值。
mos管通俗易懂的工作原理：芯片MOS（MetalOxideSemiconductor，金属氧化物半导体）管自上世纪中叶时期被发明以来，其工作原理变化不大（但材料和工艺随着制程演进变化较大）。以N型MOS管四端器件为例：NMOS管四端分别是D、G、S、B，即漏、栅、源以及体端。MOS管是电压控制电流器件（区别于Bipolar的电流控制电流器件特性）。当栅源电压差为0时，漏源之间不会形成电流前段（工作在截止区）。N型MOS管四端器件当栅源电压差小于阈值电压时（工作在亚阈值区），漏源之间有很小的电流，和栅源电压成指数关系。当栅源电压大于阈值电压时，并且漏源电压较大时，漏源之间有较大电流，其与栅源电压成平方关系。若漏源电压较小时，漏源之间有电流，可看成电阻。当然，以上漏端都是人为施加电压，在实际电路中，相同类型器件或者不同类型器件串联在一起时，各个器件根据基尔霍夫电流定律，形成平衡
2、什么是MOS管的跨导值?MOS管的gm如同三极管的β，是衡量MOS管放大能力的标志之一。不过话说回来，不是什么时候都需要放大能力强，比如在做开关管的时候，就需要器件能很快地在饱和、截止状态之间转换，达到深度饱和的速度要快，这时候，gm就不能太大。另外，gm越大，要造出大功率的管子难度也越大，价格越高，市面上的小功率管gm可以很高，但大功率管的话，gm一般都很小。跨导（Transconductance）是电子元件的一项属性，电导（G）是电阻（R）的倒数；而跨导则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。mos管是金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体，MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称。
