阈值电压与什么有关,cd4093输入有阈值电压

CD4093输入有阈值电压，如电源电压为5V时，输入高电平时的阈值电压最大值为3.6V，你得保证高电平时输入值大于3.6V，才能被识为高电平,~,VGS场效应管的偏置电压电压大于Vgs场效应管导通Vbe基极射极电压Vth阈值电压，决定电路截止和导通的分界线，也是决定输出高、低电压的分界线亚阈值电流非理想和温度有关吗,有关。

关系：光电效应是电子受到能量的激发而脱离原子核束缚逸出。从原子核束缚的状态下到脱离原子核跑到自由空间所需要的功是逸出功。电子所能吸收的能量是E=hυ,其中υ是辐射波的频率。E大于逸出功就可以使电子摆脱原子核的束缚而逃离，公式中h是一个常量，υ越大电子能量越大，达到逸出功就出去了，能让电子获得足够的能量的频率一般在光频的波段，这就是光频率与光电效应的关系。基本原则在n沟道增强型器件中，导电沟道在晶体管内不是自然存在的，并且需要正的栅极到源极电压来产生这种电压。正电压吸引体内的自由浮动电子朝向栅极，形成导电沟道。首先必须在栅极附近吸引足够的电子以对抗添加到FET体中的掺杂离子；这形成没有被称为耗尽区的移动载体的区域，并且发生这种情况的电压是FET的阈值电压。进一步的栅极-源极电压增加将吸引更多的电子朝向能够形成从源极到漏极的导电沟道的栅极；这个过程被称为倒置

MOS管阈值电压，击穿电压，以及饱和导通时的电阻等等，是有一套设计计算程式的，不过这些都是元件设计厂商做的，然后将这些参数转为生产流程的控制步骤

有关。泄漏电流主要是亚阈值电流，pn结反向饱和电流和栅极泄露电流组成，而亚阈值电流和pn结反向饱和电流占主要，温度升高，阈值电压降低，亚阈值电流增大，同时pn结反向饱和电流与温度成指数正比关系，那么温度升高，方向饱和电流加大。温度升高，热载流子效应加强，栅极泄露电流加大

VGS场效应管的偏置电压电压大于Vgs场效应管导通Vbe基极射极电压Vth阈值电压，决定电路截止和导通的分界线，也是决定输出高、低电压的分界线

CD4093的引脚输入电压和电源电压有关。CD4093的电源电压范围是3V~18V。CD4093输入有阈值电压，如电源电压为5V时，输入高电平时的阈值电压最大值为3.6V，你得保证高电平时输入值大于3.6V，才能被识为高电平。低电平时要小于0.9V，才为低电平。输出，高电平时是电源电压VDD-0.05V。输出低电平时是0,。05V

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