FET代表FieldEffectTransistor，即场效应管（DMN100-7-F）FQPF5N60C电源场效应管可以用什么代替,,电磁炉功率管场效应管TGAN20N135D坏了的代换：该型号场效应管的主要参数：它是N沟场效应管Ic＝20ABVce＝1350v最大功率80w以上,5、场效应管可以用作电子开关电磁炉场效应管TGAN20N135D坏用什么场效应管代。
电磁炉功率管场效应管TGAN20N135D坏了的代换：该型号场效应管的主要参数：它是N沟场效应管Ic＝20ABVce＝1350v最大功率80w以上。该型号的场效应管代换原则，是只能用等于或大于它的参数的同类型号的场效应管代换。可以代替的型号：F25T135FD、GT25Q101、IRFPH40k、lRFPH20M／30M和HF7757等型号的场效应管代替
1、最大额定参数2、热阻特性3、电气特征@Tj=25C4、漏源极限和特征TO-220封装的IRF3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装。D2Pak封装的IRF3205适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。TO-262是IRF3205的通孔安装版，适合较低端的应用。扩展资料：作用1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关
FQPF5N60C场效应管可以直接使用5N60代换，或者使用FS5TM-14代换。FQPF5N60C场效应管的主要参数为：Vdss=600V，Id=4.5A，Pd=33W，RDS=2.5Ω；5N60的主要参数为：Vdss=600V，Id=4.5A，Pd=100W，RDS=2.4Ω；FS5TM-14的主要参数为：Vdss=700V，Id=5A，Pd=35W
4、场效应和MOS管有什么区别呢?1.场效应管（FET）分为MOS场效应管（MOSFET）和结型场效应管（JFET）。现在主要使用MOS场效应管，即通常所称的MOS管，2.MOS是金属（Metal）-氧化物（Oxide）-半导体（Semiconductor）的简称，即栅-二氧化硅-硅。JFET中的J代表Junction，即“结”，表示PN结的结，FET代表FieldEffectTransistor，即场效应管（DMN100-7-F。
