20N20的栅极阈值电压为±30V,静态漏源导通电阻RDS为0.18Ω,20N20的栅极阈值电压为±30V,静态漏源导通电阻RDS为0.18Ω,20N20的栅极阈值电压为±30V,静态漏源导通电阻RDS为0.18Ω,20N20的栅极阈值电压为±30V,静态漏源导通电阻RDS为0.18Ω。
1、20N20-ASEMI场效应管的静态漏源导通电阻是多少?20N20在TO-220F封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。20N20的脉冲二极管正向电流为72A,零栅极电压漏极电流为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N20的栅极阈值电压为±30V,静态漏源导通电阻RDS为0.18Ω。20N20的电性参数是:连续二极管正向电流为20A,漏源电压为200V,二极管正向压降为1.5V,反向恢复时间为158NS
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