8n60不是三极管，而是大功率、高耐压的场效应晶体管，额定电流8A，耐压600V，功率147W，常用于电动汽车充电器、开关电源等,场效应晶体管FNK8n60参数:N沟道，8n60，7.5A，600V，RDS=1.2,场效应管MDP9N60换成FNK8n60型管。
8N60是一种N沟道增强型MOSFET，通常封装为TO220。你把单词side对着自己，图钉垂直向下，从左到右，GDS。晶体管是一种固体半导体器件，可用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变开关，是根据输入电压来控制输出电流的，所以晶体管可以作为电流开关使用，与一般的机械开关(如继电器、开关)不同的是，晶体管是由电信号控制的，开关速度可以很快，实验室里的开关速度可以达到100GHz以上。严格来说，晶体管是指所有基于半导体材料的单个元件，包括二极管、三极管、场效应晶体管、可控硅二极管等等。晶体管有时指三极管。8n60不是三极管，而是大功率、高耐压的场效应晶体管，额定电流8A，耐压600V，功率147W，常用于电动汽车充电器、开关电源等。
2、场效应管MDP9N60可以用什么型号的管子替代?场效应管MDP9N60换成FNK8n60型管。场效应晶体管FNK8n60参数:N沟道，8n60，7.5A，600V，RDS=1.2，属于压控半导体器件。具有高输入电阻(107 ~ 1015ω)、低噪声、低功耗、大动态范围、易集成、无二次击穿现象、安全工作区宽等优点，成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者，扩展资料:工作原理:场效应晶体管的工作原理是“漏源间流动的沟道ID，用于控制栅极与沟道间pn结形成的反向偏置栅极电压”。ID流过的沟道宽度，即沟道的横截面积，由pn结反向偏置的变化来控制，导致耗尽层的膨胀变化，从栅极延伸到漏极的过渡层将一部分沟道形成为阻挡型，ID饱和。这种状态称为夹断，过渡层阻挡了一部分通道，但电流没有被切断。
