对于R11，门电路将是阻性的，其电阻值不应太大,我也知道这么多,希望对你有帮助,从电路的角度来说，R11叫栅极电阻,D4的作用是加快IRF的关断时间,其作用是防止IRF840的栅极等效电容与线路中的电感形成自激振荡(线路过长会有电感)，从而损坏IRF840,R13用于防止IRF误操作。
主要用于流量扩展和自动流量共享。需要大电流的时候，有时候一个管不够用，买单个更大容量的管一方面太贵，另一方面又不好买，所以我们考虑MOS管并联的方法，总电流等于并联支路的电流之和。而且MOS管还有一个特点，就是当电流增大，管温升高时，它的导通电阻也会增大，这就会造成一个奇怪的现象。如果电子管的电流太大，它的导通电阻就会增加。对于并联电路，电阻越大，电流越小，所以它的电流会减小。电流小的时候，发热会减少，温度会下降。所以多管并联时，会有自动均流的效果。晶体管的导通电阻与温度之间存在负系数关系。电流越大，导通电阻越小，容易造成二次击穿，所以没有自动均流的这种效果。
2、电路图中电阻R11和R13以及D4D的作用是什么,逆变主电路换成IGBT该怎么...从电路的角度来说，R11叫栅极电阻。其作用是防止IRF840的栅极等效电容与线路中的电感形成自激振荡(线路过长会有电感)，从而损坏IRF840，对于R11，门电路将是阻性的，其电阻值不应太大。R13用于防止IRF误操作，IGBT的栅极-源极和栅极-漏极之间的等效电容非常大。当在漏极和源极之间施加电压时，这两个等效电容被充电，使得栅极和源极之间的电压达到导通阈值，IRF将自动导通，有了这个电阻，栅极和源极之间的等效电容就不能充电了。D4的作用是加快IRF的关断时间，改善下降沿。IRF840和IGBT的参数必须一致，希望对你有帮助。我也知道这么多。
