无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结永久性损坏稳压二极管反向截止与反向击穿有何区别,稳压二极管反向击穿电压就是稳压二极管的稳定电压;稳压二极管反向击穿后产生的电流就是稳压二极管的稳压电流,输入电压越高反向击穿电流越大,反之输入电压越低反向击穿电流越小,以达到稳定输出电压的目的,雪崩击穿另一种击穿为雪崩击穿,二极管原理的反向击穿,反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。
1、LED静电击穿与反向击穿LED的静电击穿,在生产工序中,简要地说主要是ESD(静电放电)产生的电流过高(LED正向导通状态)产生的热效应损坏了LED的内部结构,或者ESD电流脉冲反向stressLED的PN结以至于击穿时产生的二次ESD电流的热失效。在实际的生产线中,上述的两种静电作用LED的情形基本都存在
2、稳压二极管反向截止与反向击穿有何区别稳压二极管反向击穿电压就是稳压二极管的稳定电压;稳压二极管反向击穿后产生的电流就是稳压二极管的稳压电流,输入电压越高反向击穿电流越大,反之输入电压越低反向击穿电流越小,以达到稳定输出电压的目的。反向截止----当输入电压小于稳压管标称稳压值时,稳压二极管就进入反向截止状态。进入反向截止状态的稳压电路就不起稳压作用
3、二极管原理的反向击穿反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿,如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿另一种击穿为雪崩击穿,当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿,无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结永久性损。