由于平带电压中包含有Si-SiO2系统中电荷Qf的影响，而这些电荷与工艺因素关系很大，故在制作工艺过程中需要特别注意Na离子等的沾污，以便于控制或者获得预期的阈值电压阈值电压对电路静态功耗有什么影响,有，看你问的是输出还是输入你TTL逻辑电路的话，输入一般是三极管，达到0.7的PN结压降就会导通，因此一般输入低电平认为是0.7V，大于0.7V都认为是高电平输出的话一般都是推挽结构的三极管，上下各有0.3V的三极管饱和压降，因此输出高电平一般是4.7，低电平一般是0.3V左右如果是OC输出的话，高电平没有压降，就是电源电压，比如5V，低电平有一个饱和压降，小于0.3VMOSFET管阈值电压和耐压的关系公式是什么。
MOS管阈值电压，击穿电压，以及饱和导通时的电阻等等，是有一套设计计算程式的，不过这些都是元件设计厂商做的，然后将这些参数转为生产流程的控制步骤
有，看你问的是输出还是输入你TTL逻辑电路的话，输入一般是三极管，达到0.7的PN结压降就会导通，因此一般输入低电平认为是0.7V，大于0.7V都认为是高电平输出的话一般都是推挽结构的三极管，上下各有0.3V的三极管饱和压降，因此输出高电平一般是4.7，低电平一般是0.3V左右如果是OC输出的话，高电平没有压降，就是电源电压，比如5V，低电平有一个饱和压降，小于0.3V
MOS的阈值电压是指使半导体表面产生反型层（即沟道）时所需要外加的栅极电压。如果存在平带电压，栅压超过平带电压的有效电压使得半导体表面出现空间电荷层（耗尽层），然后再进一步产生反型层；故总的阈值电压中需要增加一个平带电压部分。由于平带电压中包含有Si-SiO2系统中电荷Qf的影响，而这些电荷与工艺因素关系很大，故在制作工艺过程中需要特别注意Na离子等的沾污，以便于控制或者获得预期的阈值电压
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