No.参数不一样，因为电压支持不一样，所以厚度规格也不一样,FET在英语中是FieldEffectTransistor，缩写为FET,40N150是40A/1500V,40N150是40A/1500V,而40N120是40A/1200V,而40N120是40A/1200V。
No .参数不一样，因为电压支持不一样，所以厚度规格也不一样。40N150是40A/1500V。而40N120是40A/1200V。一种半导体器件，通过控制输入回路的电场效应来控制输出回路的电流。半导体中只有多数载流子导电。FET在英语中是FieldEffectTransistor，缩写为FET。扩展资料:由于过渡层中没有电子和空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，电流通常难以流动。但此时漏源之间的电场实际上是两个过渡层接触漏极和栅极下部，漂移电场拉动的高速电子穿过过渡层。因为漂移电场的强度几乎是恒定的，所以出现了ID的饱和现象。其次，VGS朝负方向变化，因此VGS=VGS。此时，过渡层几乎覆盖了整个区域。而且VDS的电场大部分加在过渡层上，把电子拉向漂移方向的电场只是靠近源的很短一部分，使得电流无法流动。
2、k 40t1202和fgl40n120这两个igbt都是参数一样吗?为什么体积大小不一...参数不一样，因为电压支持不一样，所以厚度规格也不一样。40N150是40A/1500V，而40N120是40A/1200V。扩展数据IGBT工作方法IGBT是垂直功率MOSFET的自然发展，适用于高电流、高电压应用和快速终端设备，因为需要源极-漏极沟道来实现更高的击穿电压BVDSS，所以该沟道具有高电阻率。因此，功率MOSFET具有高RDS值的特性，而IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点，虽然最新一代的功率MOSFET器件已经大大改善了RDS特性，但在高电平下，功率传导损耗仍然远远高于IGBT技术。与标准双极器件相比，更低的压降、转换为低VCE的能力和IGBT的结构可以支持更高的电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
