①至于上面的8N60，属于N沟道场效应晶体管，参数为//耐压:600V//电流:8A//T0-220封装//,8N60是一种N沟道增强型MOSFET，通常封装为TO220,8n60不是三极管，而是大功率、高耐压的场效应晶体管，额定电流8A，耐压600V，功率147W，常用于电动汽车充电器、开关电源等。
①至于上面的8N60，属于N沟道场效应晶体管，参数为//耐压:600V//电流:8A//T0-220封装//。② 7N60属于N沟道FET，参数为//耐压:600V//电流:7A//T0-220封装//。③那翔5N60属于N沟道FET，参数为//耐压:600V//电流:5A//T0-220封装//。(4)、关于以上三类场效应管不可互换，原因是三类管的电流电阻不同。
8N60是一种N沟道增强型MOSFET，通常封装为TO220。GDS，你把单词面朝自己，图钉从左到右垂直向下。晶体管是一种固体半导体器件，可用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变开关，是根据输入电压来控制输出电流的，所以晶体管可以作为电流开关使用，与一般的机械开关(如继电器、开关)不同的是，晶体管是由电信号控制的，开关速度可以很快，实验室里的开关速度可以达到100GHz以上。严格来说，晶体管是指所有基于半导体材料的单元件包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应晶体管、可控硅二极管等等。晶体管有时指三极管。8n60不是三极管，而是大功率、高耐压的场效应晶体管，额定电流8A，耐压600V，功率147W，常用于电动汽车充电器、开关电源等。
3、直插三极管FQP8N60C封装TO-220MOS场效应管和FQPF8N60有什么区别?FQP8N60CTO-220MOS场效应管和FQPF8N60TO-220FMOS场效应管的性能参数几乎相同。他们都是飞兆半导体现场经理，并且都使用同一数据手册的标称数据，两者的区别在于包装的不同。FQP是铁基TO-220，fqpf是塑料TO-220F，由于封装不同，散热和绝缘也有差异。FQP散热好，效率略好，但隔热性差，FQPF散热差，绝缘好。
