三极管的主要参数,1、电压/电流：用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围2、hFE：电流放大倍数3、VCEO：集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压4、PCM：最大允许耗散功率5、封装形式：指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现扩展资料三极管的发现历史：1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，3位科学家——巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。
1、三极管的主要参数1、电压/电流：用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围2、hFE：电流放大倍数3、VCEO：集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压4、PCM：最大允许耗散功率5、封装形式：指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现扩展资料三极管的发现历史：1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，3位科学家——巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验，这个器件，就是在科技史上具有划时代意义的成果晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的，而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响，所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”，这3位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学。
