基极电压和集电极电压一样大的时候三极管也算是饱和了，但是没有深度饱和，也是可以工作的,最主要是你要明白需要什么性能，电路当前工作在什么状态，有时也有需要用肖特基钳位三极管防止达到深度饱和，这样可以比深度饱和更快点断开的功率场效应管和三极管的导通饱和压降各有什么特点。
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1、模拟电子技术中的三极管、饱和管压降和Uces是指什么概念?饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。工程中，其实饱和和放大的边界远没有那么清楚，是一个很模糊的概念，对于小功率管而言，基本上UCE=1V开始，就逐步进入饱和区了，UCE越小，饱和程度越深。到了UCES后，就完全进入饱和状态了，但是饱和程度还可以继续加深，小功率管最多可以达到UCE=0.3V左右，这时候可以说是深度饱和了。UCES这个数值在功率放大电路计算过程中特别有用，可以计算功率管自身管耗，进而计算效率。把追问也回答好吧。你按UCES计算出来的是放大区的最大基极电流，但对于饱和区来说，这个电流还不是最大的基极电流
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2、功率场效应管和三极管的导通饱和压降各有什么特点?功率场效应管和三极管的导通饱和压降的特点如下：1、功率场效应管是电压控制器件，如果驱动电压不够，导通时流过的饱和电流越大、压降也会上升，并且与温度成正比（在电源里可防磁饱和），驱动电压足够时、导通压降一般会比三极管高，开关频率速度较快（因结电容小）。2、三极管是电流控制器件，如果驱动电流不够，饱和时流过的电流越大、压降就会上升；如果有足够的驱动电流、饱和压降都很小的，开关频率效果不好、速度较慢（因结电容大）。功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体），FET（FieldEffectTransistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管
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3、三极管发射结饱和压降的问题应该是这样的，现在绝大部分都是硅三极管的，Ube一般都是0.7V左右，但是深度饱和工作时候Uce大约差不多就是0.2V了。基极电压和集电极电压一样大的时候三极管也算是饱和了，但是没有深度饱和，也是可以工作的。最主要是你要明白需要什么性能，电路当前工作在什么状态，有时也有需要用肖特基钳位三极管防止达到深度饱和，这样可以比深度饱和更快点断开的
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