用两个这样的模块就可以组成一个单相整流桥可控硅电路是什么,要控制可控硅的导通角要首先有过零检测电路,单片机控制可控硅导通角度关键在交流电过零检测电路,可控硅如何实现加热器控制,交变电流是以正弦波的形式不断变化的，将可控硅接入控制电路中后，可控硅在触发后，可以维持电流一个周期的正向导通。
可控硅是一种大功率半导体器件，它能控制较大的电流和功率，用来进行电机调速、电镀、电解、充电、励磁、恒温、调压、稳压、无触点开关、变频等作用
这个可控硅模块是由两个正向串联的可控硅组成，右边一只的阴极接在左边一只的阳极上，它们的触发线在右边的接线柱上，最上面一个是右边可控硅的触发极G2，第二个是右边可控硅的阴极K2，第三个是左边可控硅的触发极G1，最下面一个是左边可控硅的阴极K1。用两个这样的模块就可以组成一个单相整流桥
如果实现对交流电压的控制有这么几种形式：1.就是控制变压器的输出抽头的触点，可以通过继电器，接触器，可控硅等实现。2.可以通过变频器原理的调压技术，实际上就是一个可调输出电压的逆变器。要控制可控硅的导通角要首先有过零检测电路。过零检测可以采用比较器实现。可控硅实现交流电调压实际是调功，一般有两种方案1，调节单位时间内交流脉冲个数。2，是通过控制可控硅的导通角来调节电流大小。全导通为180度，一般工作在60到140度左右一般第二种方式比较常用。单片机控制可控硅导通角度关键在交流电过零检测电路。一般思路单片机检测到交流电零点时产生中断，经一段时间延时后触发可控硅。50HZ市电而言，延时时间必须在10毫秒以内。将这一个延时时间分成N份即N级调节输出功率。延时时间越短可控导通角度越大输出功率越大，延时时间越长可控导通角度越小输出功率越小
4、可控硅的保护电路分为控制电路的电子保护和主电路保护主电路保护常见得有：电流保护和电压保护以及电压上升率保护。控制电路的电子保护一般在检测到异常时进行过流过压过载等保护。主电路的过流保护一般采用串联快速熔断器，过压保护采用并联压敏电阻。电压上升率保护采取并联阻容吸收电路
5、可控硅如何实现加热器控制交变电流是以正弦波的形式不断变化的，将可控硅接入控制电路中后，可控硅在触发后，可以维持电流一个周期的正向导通。当电流过零变负时，可控硅断开，这样，给可控硅的触发极加一个和电流同周期的脉冲，根据脉冲与电流的相位差的变化，可控硅可以控制整流电路中电压的平均值，这样就可以实现电热器温度的调节（其实也是调压调节）。当然这个脉冲是由加热器部分的热传感器来控制的，其实这个过程也是一个闭环反馈控制过。
