FNK8n60的参数:N沟，7.5A，650V，RDS=1.2,2.场效应晶体管cs8n60参数:N沟道，8n60，7.5A，600V，RDS=1.2,10N60是一款N沟道FET，耐压600V，电流10A..场效应晶体管是场效应晶体管的简称,1、场效应管cs8n60换成FNK8n60型管。
10N60是一款N沟道FET，耐压600V，电流10 A..场效应晶体管是场效应晶体管的简称。主要有金属和氧化物半导体场效应晶体管两种，多数载流子传导，也称为单极晶体管。属于压控半导体器件。具有高输入电阻(107至1015ω)、低噪声、低功耗、大动态范围、易集成、无二次击穿现象、安全工作区宽等优点，成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。
2、CS8N60晶体管可以用其他什么管代换1、场效应管cs8n60换成FNK8n60型管。2.场效应晶体管cs8n60参数:N沟道，8n60，7.5A，600V，RDS=1.2，FNK8n60的参数:N沟，7.5A，650V，RDS=1.2。3.工作原理N沟道结构场效应晶体管由于PN结中的载流子已经耗尽，PN基本不导电，形成所谓的耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压为负，则PN界面形成的耗尽区会更厚，漏极和源极之间的导电沟道会更窄，漏极电流ID会更小。另一方面，如果栅极电压不那么负，沟道变得更宽，ID变得更大，因此漏极电流ID的变化可以由栅极电压eg控制，即FET是电压控制元件。
