gm跨导是Uds为常数时，Id漏电流的变化量与Vgs变化量的比值,两个参数互换，分子变为分母模电跨导的单位是什么,跨导的单位是S（西门子），一般用mS,1/gm就是跨导的倒数就是了，理解好跨导就OK.如果硬要理解什么意思，就是Uds为常数时，Vgs变化量与Id漏电流的变化量的比值。
跨导的单位是S（西门子），一般用mS。线性压控电流源的性质可表示为方程I=gV，其中g是常数系数。系数g称作跨导（或转移电导），具有与电导相同的单位。这个电路单元通常指放大器。在MOS管中，跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，跨导为曲线的斜率
应该是场效应管（MOS管）吧。gm跨导是Uds为常数时，Id漏电流的变化量与Vgs变化量的比值。通俗点说就是，Vds不变时，Vgs增加，漏电流就以gm为斜率来线性增加。1/gm就是跨导的倒数就是了，理解好跨导就OK.如果硬要理解什么意思，就是Uds为常数时，Vgs变化量与Id漏电流的变化量的比值。两个参数互换，分子变为分母
FET是Field-Effect-Transistor的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代
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