想要详细了解的话，请参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明晶体管的饱和管压降与PN借的导通压降有什么关系,晶体管的饱和压降也就是两个PN结正偏时、C-E之间的电压，即等于两个PN结正向电压的差，因此，对于理想晶体管，饱和压降与PN结的导通压降，严格来说，是有一定的关系,,饱和压降（Vces）：在门极电压驱动下，IGBT工作于饱和区（什么是饱和区请查阅相关资料），IGBT集电极（C）与发射极（E）之间的电压差；不同的门极电压对应不同的饱和压降,功率场效应管和三极管的导通饱和压降各有什么特点。
饱和压降（Vces）：在门极电压驱动下，IGBT工作于饱和区（什么是饱和区请查阅相关资料），IGBT集电极（C）与发射极（E）之间的电压差；不同的门极电压对应不同的饱和压降。饱和压降是衡量IGBT是否过流的重要指标，在门极驱动电压存在的情况下，发生IGBT过流，Vce会急剧上升，一般当Vce大于饱和压降10微秒左右，IGBT就会损坏。一般的IGBT驱动保护模块就是通过监控Vce是否大于饱和压降，来实现IGBT过流保护的
晶体管的饱和压降也就是两个PN结正偏时、C-E之间的电压，即等于两个PN结正向电压的差，因此，对于理想晶体管，饱和压降与PN结的导通压降，严格来说，是有一定的关系。但是，实际上晶体管饱和压降与PN结的导通压降关系不大，因为晶体管饱和压降主要决定于晶体管的集电极串联电阻；而这与衬底外延层的电阻率和厚度有很大的关系，另外也与电极接触电阻有关。想要详细了解的话，请参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明
功率场效应管和三极管的导通饱和压降的特点如下：1、功率场效应管是电压控制器件，如果驱动电压不够，导通时流过的饱和电流越大、压降也会上升，并且与温度成正比（在电源里可防磁饱和），驱动电压足够时、导通压降一般会比三极管高，开关频率速度较快（因结电容小）。2、三极管是电流控制器件，如果驱动电流不够，饱和时流过的电流越大、压降就会上升；如果有足够的驱动电流、饱和压降都很小的，开关频率效果不好、速度较慢（因结电容大）。功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体），FET（FieldEffectTransistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管
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