硅二极管的导通电压可以按照0.7V计算，数字万能表测量大概0.65VVDMOS的阈值电压受什么因素影响,万用表测得的正向导通电压与二极管的阈值电压和二极管的压降有什么...,二极管导通后，电流增加，压降会略有增加，但是增加得很少，所以一般就将导通电压视为二极管的阈值电压或者二极管的压降了。
有，看你问的是输出还是输入你TTL逻辑电路的话，输入一般是三极管，达到0.7的PN结压降就会导通，因此一般输入低电平认为是0.7V，大于0.7V都认为是高电平输出的话一般都是推挽结构的三极管，上下各有0.3V的三极管饱和压降，因此输出高电平一般是4.7，低电平一般是0.3V左右如果是OC输出的话，高电平没有压降，就是电源电压，比如5V，低电平有一个饱和压降，小于0.3V
Vth_gm是用gm法推导出来的，推导时Vds置于线性区Vdlin，通常为0.1V,扫Vgs从截至区到Vgg，得到ID-VG曲线，在此曲线上找到gm最大点，在该点做切线与VGS轴相交，交点VG再减去0.5*Vdlin就是Vth_gm值。具体可参考NarainArora的MOS器件模型的书，需要从MOS特性的角度推导出ID-VG的关系，就能明白其意义了，特别是最后要减去0.5*Vdlin的原因。Vth_lin是用所谓的固定电流法得来，常用的判据是0.1uA*W/L，Vds置于Vdlin,扫Vgs从0-Vgg，当Ids等于前述判据时即认为Vgs=Vth_linVth_sat与前述Vth_lin用同样方法得来，只不过提取时Vds置于饱和电压Vdd。具体的内容请参考NarrainArora的《用于VLSI模拟的小尺寸MOS器件模型理论与实践》
原则上与一般MOSFET的阈值电压一样，主要是受到氧化层厚度、衬底掺杂浓度和氧化层中以及界面上电荷的影响；不过，VDMOSFET的衬底掺杂浓度基本上就是扩散的表面浓度，因此需要注意控制好。参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明
4、万用表测得的正向导通电压与二极管的阈值电压和二极管的压降有什么...二极管导通后，电流增加，压降会略有增加，但是增加得很少，所以一般就将导通电压视为二极管的阈值电压或者二极管的压降了。万能表的测试电流很小（约1mA），测量出来的导通电压略偏低，使用时可以适当调整以下。硅二极管的导通电压可以按照0.7V计算，数字万能表测量大概0.65V
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