与氧化-还原无关，只是你的理解不正确，但很好记，但恰恰相反，P是阳极，N是阴极,二极管由一种叫做PN结的半导体制成,二极管电流只具有正向导通和反向截止的特性(即正反向),二极管是单向导电的半导体电子元件,二极管:二极管的工作原理是P型半导体和N型半导体形成pn结，在界面两侧形成空间电荷层，构建自建电场。
与氧化-还原无关，只是你的理解不正确，但很好记，但恰恰相反，P是阳极，N是阴极。。p区是空穴区，电子从四价硅转移到掺杂的三价元素，使硅外缺少一个电子，形成空穴，而N区是电子区，电子从掺杂的五价元素转移到四价硅，使硅外增加一个电子，形成空穴。p和N区只有扩散和漂移效应。
二极管是单向导电的半导体电子元件。二极管由一种叫做PN结的半导体制成。P型半导体引出的引线称为正极，N型半导体引出的引线称为负极。二极管电流只具有正向导通和反向截止的特性(即正反向)。二极管的正向电阻很小，一般在几欧姆到几百欧姆，甚至更小，反向电阻很大，一般在几十千欧姆到几十兆欧。二极管: 二极管的工作原理是P型半导体和N型半导体形成pn结，在界面两侧形成空间电荷层，构建自建电场。没有外加电压时，pn结两侧载流子浓度差引起的扩散电流等于自建电场引起的漂移电流，处于电平衡状态。当外界存在直流偏压时，外电场和自建电场的相互抑制增加了载流子的扩散电流，引起正向电流。
途中的正负标志表示自建场的方向。N型半导体区的载流子很多都是电子，所以带正ND杂质(因为提供了Si电子)的P型半导体区的载流子很多都是空穴，所以当P型半导体与NA杂质接触时(因为Si电子被吸收)，会产生势垒区。因为载流子是流动的，从高浓度向低浓度扩散，所以P型半导体中的空穴流向N型半导体，N型半导体中的电子流向P型半导体。所以不能扩散的杂质NA留在P型半导体区，不能扩散的nd留在N型半导体区(因为接触不改变物质形态，质子不转移)，所以N型势垒区带正电，P型势垒区带负电。途中圆圈内的正负符号代表杂质带电。空心圆圈代表空穴，蓝色实心圆圈代表电子。势垒区外的半导体属于中性区，电子和空穴都不离开成对杂质和Si原子。
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