当然更本质的原因是小功率MOS少，MOS管特别怕静电,MOS管和三极管的截止面积:如果NMOS管的栅极电压小于阈值电压，MOS管就相当于两个背靠背的二极管，不导通,简单来说:MOS晶体管是电压控制器件，三极管是电流控制器件,MOS管是主板供电的功率管，热量消耗很大。
MOS晶体管的三极分别是栅极(G)、源极(S)和漏极(D)。MOS器件是压控器件，栅极电压用来控制源漏的导通。MOS管和三极管的截止面积:如果NMOS管的栅极电压小于阈值电压，MOS管就相当于两个背靠背的二极管，不导通。NPN晶体管也是一样。如果偏置电压小于阈值电压，则相当于两个背靠背的二极管，不导通。MOS晶体管饱和区介绍:当NMOS的漏极电压比较高的时候，沟道会被夹断，然后即使电压上升，电流也不会再上升，所以叫饱和区。当NPN晶体管的集电极电压比较高的时候，几乎所有来自发射极的电子都会被收集，电压升高就没办法收集更多，这也是它的饱和区。
MOS场效应晶体管属于压控元件，类似于电子管的三极管，但结构和工作原理与电子管完全不同。通常用于放大电路或开关电路。在主板上的电源稳压电路中，MOS主要判断电位，在主板上往往用“Q”加数字来表示。场效应晶体管的结构是在一个N型半导体的两侧扩散高浓度的P型杂质，用P在漏极和源极之间加直流电压，使N区的许多电子导电。从源极S开始，流到漏极d。
有一定的相似性，但又有所不同。简单来说:MOS晶体管是电压控制器件，三极管是电流控制器件。说复杂一点，两者都类似于受控电流源。MOS晶体管是栅源电压控制的电流源，三极管是基极电流控制的电流源。二楼的说法不正确。我能理解和使用三极管，只是因为三极管相对容易学习和使用。它们被用在学校里，教得更多。MOS管比较抽象，因为大部分学校MOS的教学比较粗糙，很少教，学校里基本不用，所以我当然看不懂。当然更本质的原因是小功率MOS少，MOS管特别怕静电。如果不小心，它们很容易被击穿，比三极管更难使用。当然，如果能用的话，MOS管是很酷的，尤其是大功率大电流输出。
4、主板上的MOS管是什么东西?MOS管是主板供电的功率管，热量消耗很大。CPU和主板超频的时候，主板的电流比正常情况下大很多，电源的MOS管自然会消耗更多的热量，所以超频爱好者就加散热片给MOS管降温。
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